แหวนรองรับกราไฟท์สำหรับซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์ – กราไฟท์ไอโซสแตติกความบริสุทธิ์สูง 99.99% (4N)

ส่งคำถาม
แหวนรองรับกราไฟท์สำหรับซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์ – กราไฟท์ไอโซสแตติกความบริสุทธิ์สูง 99.99% (4N)
รายละเอียด
เป็นส่วนประกอบโครงสร้างหลักในเตาหลอมผลึกเดี่ยวของ Czochralski (CZ) ซึ่งใช้เพื่อรองรับถ้วยใส่ตัวอย่างกราไฟท์ ท่อนำ แผ่นป้องกันความร้อน และเครื่องทำความร้อนภายใต้บรรยากาศสุญญากาศ/อาร์กอนที่อุณหภูมิ 1400–1600 องศา ผลิตจากกราไฟท์ไอโซสแตติกที่มีความบริสุทธิ์สูง 4N- (คาร์บอนมากกว่าหรือเท่ากับ 99.99% สิ่งเจือปนทั้งหมดน้อยกว่าหรือเท่ากับ 100 ppm) มีโครงสร้างไอโซโทรปิก ความหนาแน่นสูง การขยายตัวทางความร้อนต่ำ ต้านทานการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลัน และความเฉื่อยของสารเคมีได้ดีเยี่ยม ช่วยป้องกันการปนเปื้อนจากซิลิคอนหลอมเหลว รับประกันความเข้มข้นของสนามความร้อนและความเสถียรของมิติ และปรับปรุงผลผลิตและคุณภาพของซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์ การเคลือบ SiC/PYC ที่เป็นอุปกรณ์เสริมเพื่ออายุการใช้งานที่ยาวนานขึ้นและประสิทธิภาพการป้องกันการทำให้เปียก-ดีขึ้น ใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์ PV, การผลิตเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์, การเติบโตของผลึกเดี่ยว SiC และเตาสุญญากาศที่อุณหภูมิสูง-
ประเภท
แม่พิมพ์กราไฟท์
Share to
คำอธิบาย
Graphite Engagement Ring

วงแหวนรองรับกราไฟท์ไอโซสแตติกที่มีความบริสุทธิ์สูง 99.99% เป็นองค์ประกอบหลักในด้านความร้อนของเตาคริสตัลเดี่ยว-ของเซลล์แสงอาทิตย์และเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งทำหน้าที่เป็นทั้งแบริ่งโหลด-และองค์ประกอบห้องคลีนรูม ด้วยคุณลักษณะหลักหกประการ-ความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ- ไอโซโทรปี ความต้านทานต่ออุณหภูมิสูง- การขยายตัวทางความร้อนต่ำ ความเฉื่อยทางเคมี และการตัดเฉือนที่มีความแม่นยำ- ทำให้มั่นใจได้ว่า-ความบริสุทธิ์ของผลึกเดี่ยว ผลผลิต และความเสถียรของสนามความร้อน สถานการณ์การใช้งานหลัก ได้แก่ เตา CZ ของเซลล์แสงอาทิตย์ เวเฟอร์ซิลิคอนของเซมิคอนดักเตอร์ และเตา{11}}ผลึกเดี่ยว SiC

 

วงแหวนรองรับกราไฟท์ซิลิกอนโมโนคริสตัลไลน์ (กราไฟท์ไอโซสแตติกความบริสุทธิ์สูง 99.99% / 4N สูง{{2}) เป็นส่วนประกอบโครงสร้างหลักของสนามความร้อนของเตาผลึกเดี่ยวแบบดึงตรง (CZ) ใช้ในบรรยากาศสุญญากาศ/อาร์กอนที่อุณหภูมิตั้งแต่ 1,400 ถึง 1,600 องศาเพื่อรองรับเบ้าหลอมกราไฟท์ ท่อนำทาง ฝาครอบฉนวน และองค์ประกอบความร้อน รับภาระตามแนวแกนอย่างมั่นคง ช่วยให้มั่นใจในความรวมศูนย์และความเสถียรของมิติของสนามความร้อน ป้องกันการปนเปื้อนของสารเจือปนของซิลิคอนหลอม และรับประกันความบริสุทธิ์และผลผลิตของแท่งซิลิกอนผลึกเดี่ยว
วัสดุ: กราไฟท์เทียมแบบไอโซสแตติกที่มีความบริสุทธิ์สูง- (ไอโซสแตติกกราไฟต์) โดยมีปริมาณคาร์บอน ** มากกว่าหรือเท่ากับ 99.99% (4N)** สิ่งเจือปนทั้งหมดน้อยกว่าหรือเท่ากับ 100 ppm สิ่งเจือปนในโลหะที่สำคัญ (Fe, Cu, Al, Ca ฯลฯ) น้อยกว่าหรือเท่ากับ 1 ppm
ฟังก์ชันหลัก: โหลด-แบริ่ง + การวางตำแหน่ง + ฉนวนกันความร้อน + ป้องกัน-มลภาวะ เป็นส่วนประกอบพื้นฐานที่ขาดไม่ได้สำหรับการดึงคริสตัลเดี่ยวของเซลล์แสงอาทิตย์ / เซมิคอนดักเตอร์

Graphite Engagement Ring

 

High Value Graphite Ring
คุณสมบัติโดยละเอียด (ข้อดีหลัก)

มีความบริสุทธิ์สูง-เป็นพิเศษ ลดการปนเปื้อนของซิลิคอน (ปัจจัยที่สำคัญที่สุด)
มีความบริสุทธิ์สูง 99.99% (4N) โดยมีสิ่งเจือปนต่ำมาก ไม่ระเหยหรือปล่อยสิ่งเจือปนของโลหะที่อุณหภูมิสูง หลีกเลี่ยงข้อบกพร่องของออกซิเจน คาร์บอน และโลหะในผลึกเดี่ยวซิลิคอน ซึ่งช่วยเพิ่มผลผลิตของผลึกเดี่ยวและประสิทธิภาพการแปลงแบตเตอรี่โดยตรง กราไฟท์ทั่วไปมีสิ่งเจือปนสูง ซึ่งอาจทำให้เกิดจุดดำบนเวเฟอร์ซิลิคอน การรั่วไหล และอายุการใช้งานของพาหะส่วนน้อยลดลง
 

 

Grafoil Packing Rings

คุณสมบัติโดยละเอียด (ข้อดีหลัก)

 

การขึ้นรูปแบบกดแบบไอโซสแตติก โครงสร้างไอโซทรอปิกและสม่ำเสมอ
การขึ้นรูปแบบ Cold Isostatic Pressing (CIP) ด้วยประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอในทั้งสามมิติ ไม่มีการวางแนว และความหนาแน่นสม่ำเสมอ มันไม่บิดเบี้ยว เปลี่ยนรูป หรือแตกร้าวที่อุณหภูมิสูง ช่วยให้มั่นใจได้ถึงจุดรวมศูนย์ของสนามความร้อน และหลีกเลี่ยงความเยื้องศูนย์ ขอบที่หัก และการเคลื่อนตัวระหว่างกระบวนการดึงผลึกเดี่ยว

คุณสมบัติโดยละเอียด (ข้อดีหลัก)

 

ทนต่ออุณหภูมิสูง มีเสถียรภาพทางความร้อนสูง และทนต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลัน
สามารถทำงานได้เป็นเวลานานที่ 1500–1600 องศาภายใต้บรรยากาศสุญญากาศ/อาร์กอน และในช่วงเวลาสั้นๆ ที่ 2200 องศา ; ความแรงที่อุณหภูมิสูงไม่ลดลง แต่เพิ่มขึ้นเล็กน้อย ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวจากความร้อนต่ำมาก และไม่แตกร้าว ไม่หลุดออก และไม่เปลี่ยนรูปภายใต้การเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างรุนแรงในระหว่างการทำความร้อนและความเย็นอย่างรวดเร็ว

Graphite Sealing Rings

 

Carbon Graphite Ring

นำไปใช้กับอุตสาหกรรมและสถานการณ์

 

1) อุตสาหกรรมไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ (หลักส่วนใหญ่)
เตาดึง CZ ซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์ (12/16/18/20/22/28 นิ้ว): รองรับเบ้าหลอมกราไฟท์, ท่อผัน, กระบอกฉนวน, องค์ประกอบความร้อน, หน้าจอฉนวนความร้อน; รับประกันสนามความร้อนที่เสถียร ความบริสุทธิ์ของแท่งซิลิกอน ผลผลิต และความสม่ำเสมอ
เหมาะสำหรับแท่งซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์ชนิด N- / P- และการผลิตเวเฟอร์ซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์ประสิทธิภาพสูง-

นำไปใช้กับอุตสาหกรรมและสถานการณ์

 

2) อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์
เตาซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์เกรดเซมิคอนดักเตอร์- (12 นิ้วขึ้นไป): การผลิตเวเฟอร์ซิลิคอนสำหรับวงจรรวม ซึ่งต้องใช้ความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ 5N (99.999%) - โดยมีการควบคุมสิ่งเจือปนที่ระดับ ppm/ppb
Silicon epitaxy, PECVD, ส่วนประกอบสนับสนุนสนามความร้อนการรักษาความร้อนสูญญากาศ

Carbon Graphite Ring

 

 

จัดหาโซลูชั่นสำหรับวงแหวนรองรับของเตาหลอมผลึกเดี่ยว

สายด่วนบริการฟรีของเรา:+8615617175030

modular-1

30

ปี

 

เราทำงานในอุตสาหกรรมมาตั้งแต่ปี 1984

32

ใบรับรอง

 

เราได้รับใบรับรองวิชาชีพส่วนใหญ่ในอุตสาหกรรมและยืนยันในมาตรฐานการผลิตระดับสากล

18

รางวัล

 

เราได้รับรางวัลมากมายสำหรับความคิดสร้างสรรค์ที่แข็งแกร่ง

 

 

ป้ายกำกับยอดนิยม: แหวนรองรับกราไฟท์สำหรับซิลิกอนโมโนคริสตัลไลน์ – 99.99% (4n) กราไฟท์ไอโซสแตติกที่มีความบริสุทธิ์สูง, แหวนรองรับกราไฟท์ของจีนสำหรับซิลิกอนโมโนคริสตัลไลน์ – 99.99% (4n) ผู้ผลิตกราไฟท์ไอโซสแตติกที่มีความบริสุทธิ์สูง, ซัพพลายเออร์, โรงงาน, แม่พิมพ์หล่อขึ้นรูปโลหะผสมแมกนีเซียมและอลูมิเนียม, แม่พิมพ์กราไฟท์, แม่พิมพ์กราไฟต์, แม่พิมพ์ปิรามิดกราไฟท์, แม่พิมพ์กราไฟต์คุณภาพสูง, กราไฟท์หล่อโลหะ

ส่งคำถาม